Beschreibung
NPN Fototransistor im 3mm LED Gehäuse
Anwendungen: Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb, Tag- Nachtschaltung, Industrieelektronik, Messen/Steuern/Regeln….. Universell verwendbar
Technische Daten:
- Optimal geeignet für Anwendungen im IR Bereich von 380 nm bis 1180nm
- Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit: 860nm
- Hohe Linearität
- Plastikbauform im 3mm LED-Gehäuse
- Halbwinkel = 12°(24°)
- NPN Phototransistor
- Uce max. 35V / Vcesat: 200mV
- Ic=15mA / Ic max=75mA
- Ptot: 165mW / Kapazität: CE 1MHz = 5pf
- Anstiegszeit/Abfallzeit: 8us
- Wärmewiderstand: 450K/W
