Beschreibung
BUZ355 Transistor N-FET TOP3 800V 6A 125W TO218 TOP3
BUZ355 MOSFET Transistor N-Channel Enhancement mode Avalanche-rated
VDS 800V / ID 6A / Pulsed drain current 24A / RDS ON = 1,5-Ohm /
Gate source voltage +/-20V / Leistung PTOT 125W / TO218AA
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** solange Vorrat reicht !




