Beschreibung
CFY19-18 N-FET Transistor
- GaAs FET / GaAs N-FET Transistor
- preferred for use in microwave applications / MICROWAVE RADIO Transistor
- Rauscharm hoher Verstärkung Ionenimplantierte Planarstruktur vergoldete Metallisierung
- Für Oszillatoren / Für Antennenverstärker von UHF bis 6 GHz
- Techniche Daten ( max )
- Vdc : 5Volt / Vgs : -05…+0,5V / Ids : 80-100mA / Ptot: 300mW /
- F: bis 6Ghz / Ga <9,5dB
- Gehäuse : Cerec-XF
- solange Vorrat reicht ( abgekündigtes ERsatzteil )
