Beschreibung
BPY62 NPN Phototransistor Fototransistor im TO18 Gehäuse
- NPN Fototransistor universell verwendbar BPY62-4
- Typische Anwendung Lichtschranken ….
- Geeignet für Anwendungen im Bereich von 420nm bis 1130nm
- Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit: 850nm
- Hohe Linearität
- Hermetisch dichte Metallbauform TO18) mit Basisanschluss,
- Spectralbereich: (SMAX) 850nm ( 420…1130nm )
- Vce = 50V max. / Veb = 7V
- Dunkelstrom: 5nA
- Collektorstrom Ic = 100mA max.: 200mA 10uS
- Leistung Ptot: 200mW
- HFE = Stromverstärkung: 420
- Öffnungswinkel = 16° / Halbwinkel: +/-8°
- Kapazität: Cce: 8pf
- Anstiegszeit/Abfallzeit: 9us
